關于寬禁帶半導體SiC襯底及外延片研發及產業化生產線環評文件的公示
為適應市場需求，以求較好的經濟效益和社會效益，合盛硅業股份有限公司決定投資20000萬元，建設寬禁帶半導體SiC襯底及外延片研發及產業化生產線。根據立項文件，項目名稱為寬禁帶半導體SiC襯底及外延片研發及產業化生產線，涉及的工藝包括：碳粉純化、原料制備，碳化硅晶體生長、切割、晶片加工及檢測，SiC同質外延工藝等。
由于企業場地限制，本次環評只涉及該立項文件中的碳化硅原料制備，因此實際投資為500萬元。其余工序不包括在本次環評中，后期企業再另行申報項目。
在《寬禁帶半導體SiC襯底及外延片研發及產業化生產線環境影響報告表》審批前進行環境影響評價文件公示。
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序號 |
項目名稱 |
建設地點 |
建設單位 |
環評機構 |
附件鏈接 |
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1 |
寬禁帶半導體SiC襯底及外延片研發及產業化生產線 |
浙江省嘉興市嘉興港區中國化工新材料（嘉興）園區瓦山路200號 |
合盛硅業股份有限公司 |
浙江中藍環境科技有限公司 |
附件1：寬禁帶半導體SiC襯底及外延片研發及產業化生產線環評報告全本 |
公示時間：2021年10月26日
報告查閱聯系單位：合盛硅業股份有限公司
報告查閱聯系人：陳國清
聯系電話：18368380885
通訊地址：浙江省嘉興市嘉興港區中國化工新材料（嘉興）園區瓦山路200號
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